C35 GTO緩沖吸收電容器

型號	規(guī)格	價(jià)格(元）	尺寸（mm)	引出
C35	0.47vF/5000V	50	Φ53*L50	M6

價(jià)格僅供參考，以報(bào)價(jià)單為準(zhǔn)。主要應(yīng)用/Application廣泛應(yīng)用于GTO緩沖吸收以及大電流，高壓場合。Widely used in GTO snubber，high current and high voltage application. 產(chǎn)品特點(diǎn)/Characteristics電介質(zhì)：聚丙烯薄膜結(jié)構(gòu)：金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)封裝：外包阻燃邁拉膠帶，阻燃（94V-0級）環(huán)氧封裝引出： M6或M8銅螺母引出能承受大電流，高電壓低損耗、高穩(wěn)定具有自愈性Dielectric：Polypropylene filmConstruction：metalized film internal series connectionCoating：Polyester tape wrapping with resin sealing.Flame retardant execution（UL94V-0）Terminals：Copper nut leads，threaded insert M5,M6 or M8High current，high voltageLow losses，high stabilitySelf healing 技術(shù)性能/Specifications

引用標(biāo)準(zhǔn)/Reference standards	GB/T 17702 IEC 61071
工作溫度范圍/Operating temperature range	-40℃～85℃
容量范圍/Capacitance	0.33μF～3.0μF
額定電壓/Rated Voltage	4000Vdc～10 000Vdc
容量偏差/Tolerance	±5% ±10%
極間耐電壓/Test voltage between terminals	1.5Ur（Vdc）10s 25℃±5℃
極殼耐電壓/Test voltage between terminals and case	3000V 50Hz 60s，25℃±5℃
損耗角正切/Dissipation factor	tgδ≤8×10-4   at 25℃±5℃，1kHz
絕緣電阻/Insulation resistance	C×R≥30000s，at 100Vdc，25℃±5℃，60s
預(yù)期壽命/Life expectancy	200000h at Ur and 70℃

 此產(chǎn)品關(guān)鍵字：IGBT吸收電容、IGBTSNUBBER、IGBT吸收電容廠家、IGBT吸收電容價(jià)格     華裕電容-高品質(zhì)金屬化薄膜電容專業(yè)制造商全國免費(fèi)咨詢熱線：400-850-5811銷售熱線（直線）：020-87022531 020-87022473傳真：02087022531 02087023473手機(jī)：18665682511http://www.hy-el.com http://www.gdhyel.com