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日廠不甘示弱積極搶進Micro LED顯示技術(shù)
來源:綠色節(jié)能網(wǎng)
2017-07-05 23:36
 光電協(xié)進會(PIDA)表示,Micro LED有望成為面板市場伏兵,由于Micro LED將微米級RGB三原色LED芯片以高密度磊晶在基板上,由單顆芯片做畫素(pixel)形成高密度矩陣畫面,可有效取代液晶的CF及OLED發(fā)光材料。由于LED發(fā)光組件在穩(wěn)定度以及效率上具極佳效能,優(yōu)于OLED,加上芯片價格下跌與技術(shù)開發(fā)進步,使得Micro LED具開發(fā)利基點。
 
但由于目前技術(shù)門坎仍高,盡管Micro LED在制程及成本上相較于OLED有優(yōu)勢,然而距離實際應(yīng)用技術(shù)門坎仍相當(dāng)高,PIDA指出,藍綠光LED芯片是將氮化鎵磊晶在藍寶石基板上,所以兩者能同時制作,而紅光LED芯片是以砷化鎵為基板,因此整合RGB芯片并非易事。
 
而目前已有產(chǎn)品的日廠Sony所制造的CLED,為達到高畫質(zhì)效果,采用個別制造LED芯片,將200萬組RGB芯片,合計600萬個LED芯片進行高密度封裝,制程難度極高。若進階到4K/8K高分辨率,除具備高密度封裝技術(shù)外,若單一芯片不良勢必影響影像效果。
 
PIDA估計Micro LED至少要到2020年,才有機會開始商業(yè)化應(yīng)用;盡管技術(shù)仍有難關(guān),但因臺廠已在OLED技術(shù)競賽中失去機會,產(chǎn)業(yè)寄望借重Micro LED重奪市場發(fā)球權(quán)。
 
 
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