太陽能硅片刻蝕機（等離子刻蝕機）簡介：
等離子體刻蝕設(shè)備的原理是在真空狀態(tài)下，利用射頻輻射使得氧、氬、氮、四氟化碳等氣體生成具有高反應(yīng)活性的離子與器件等反應(yīng)形成揮發(fā)性化合物，然后由真空系統(tǒng)將這些揮發(fā)性物質(zhì)清除出去。
等離子體刻蝕設(shè)備應(yīng)用于刻蝕硅片邊沿的硅鱗層，擴散過程中，不但硅片的表面擴散上了磷，硅片邊緣也擴散上了磷，這會導(dǎo)致硅片正反兩極通過邊緣導(dǎo)通短路。所以必須將硅片邊緣這層被擴散上的硅磷去掉，大概去除1-3um。硅片在刻蝕機內(nèi)水平旋轉(zhuǎn)，通入的反應(yīng)氣體為四氟化碳、氧氣和氮氣。其原理是在放電狀態(tài)下反應(yīng)氣體四氟化碳、氧氣和硅片邊緣的硅發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)形成粉末和氣態(tài)物質(zhì)后隨氣流一起被抽走等。