北京京儀集團(tuán)涿鹿光伏材料有限公司

156*156規(guī)格多晶硅方片標(biāo)準(zhǔn)

生長(zhǎng)方法

Growth Method

DSS

導(dǎo)電型號(hào)

Conductive Type

P

摻雜劑

Dopant

B

電阻率

Resistivity（ρ）

1.0 -3.0Ω·cm

少子壽命

Minority Carrier Lifetime

≥1.2μs（裸片）

氧含量

Oxygen Content(oi)

≤1.0*1018 at/cm3

碳含量

Carbon Content(c)

≤1.0*1017 at/cm3

硅片尺寸

Size

156*156+0.3mm

倒角線角度

Bebel Edge Angle

45°± 10°

倒角線寬度

Bebel Edge Width

0.5-2mm

硅片厚度

Thickness

200±20 μm

總厚度變化

TTV

≤30μm

線痕

Saw Mark

≤15μm

彎曲度/翹曲度

Bow/Warp

≤30μm

崩邊

Chip

寬≤0.3㎜，深度≤0.5㎜,且每片小于1個(gè)

微裂紋

Crack

不允許

外觀

Appearance

目視檢查無(wú)污點(diǎn),缺口,孔洞和裂紋

晶粒尺寸

Crystal Grain

≤10pcs/ cm2

平均轉(zhuǎn)換效率

Average conversion efficiency

17.6%