晶體管主要材質(zhì)為半導(dǎo)體，從1947年被研制成功后，發(fā)展至今，被廣泛融入到生活當(dāng)中。晶體管主要被用于開(kāi)關(guān)、信號(hào)調(diào)試等領(lǐng)域。由于其半導(dǎo)體的材質(zhì)介于導(dǎo)電和不導(dǎo)電之間，因此晶體管的制備選用不導(dǎo)電的超純水。超純水設(shè)備操作簡(jiǎn)單，占地面積小，運(yùn)行過(guò)程中幾乎將水中的雜質(zhì)完全除去，出水不導(dǎo)電，符合晶體管生產(chǎn)的用水需求，是電子行業(yè)的重要設(shè)備之一。

性能優(yōu)勢(shì):

1、日常保養(yǎng)，操作簡(jiǎn)單、勞動(dòng)強(qiáng)度低。

2、無(wú)污染物排放，既環(huán)保又省去了廢液處理的投資。

3、可連續(xù)，穩(wěn)定地生產(chǎn)高品質(zhì)純水，無(wú)需因樹(shù)脂再生而停機(jī)。

設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小，節(jié)約空間，同時(shí)還具有節(jié)能優(yōu)點(diǎn)。

污染物對(duì)設(shè)備效果的影響:

　　1、氯和臭氧會(huì)氧化離子交換樹(shù)脂和離子交換膜，引起EDI組件功能減低。氧化還會(huì)使TOC含量明顯增加，污染離子交換樹(shù)脂和膜，降低離子遷移速度。另外，氧化作用使得樹(shù)脂破裂,通過(guò)組件的壓力損失將增加。鐵和其它的變價(jià)金屬離子可對(duì)樹(shù)脂氧化起催化作用，永久地降低樹(shù)脂和膜的性能。

　　2、對(duì)晶體管生產(chǎn)用超純水設(shè)備影響較大的污染物包括硬度離子、有機(jī)物、固體懸浮物、氧化劑和二氧化碳以及細(xì)菌等。設(shè)計(jì)超純水系統(tǒng)時(shí)應(yīng)在超純水的預(yù)處理過(guò)程除掉這些污染物。在預(yù)處理中降低這些污染物的濃度可以提高超純水的性能。

　　3、硬度離子能在反滲透和EDI單元中引起結(jié)垢。結(jié)垢一般在濃水室膜的表面發(fā)生，該處pH值較高。此時(shí)，濃水入水和出水間的壓力差增加，電流量降低。組件設(shè)計(jì)采取了避免結(jié)垢的措施，可使入水硬度降到最小將會(huì)延長(zhǎng)清洗周期并且提高超純水系統(tǒng)的利用率。懸浮物和膠體會(huì)引起膜和樹(shù)脂的污染和堵塞，樹(shù)脂間隙的堵塞導(dǎo)致EDI組件的壓力損失增加。

　　4、二氧化碳有兩種效果。首先，CO32-和Ca2+、Mg2+形成碳酸鹽類結(jié)垢，這種垢的形成與給水的離子濃度和pH有關(guān)。其次，由于CO2的電荷與pH值有關(guān)，而其被RO和EDI的去除都依賴于其電荷，因此它的去除效率是變化的。即使較低的CO2都能顯著地降低產(chǎn)品水的電阻率。

　　5、有機(jī)物被吸引到樹(shù)脂和膜的表面導(dǎo)致其被污染，使得被污染的膜和樹(shù)脂遷移離子的效率降低，膜堆電阻將增加。